
ingénieur de recherche en microélectronique (H/F) : Ingénieur R&D en intégration de semi-conducteurs III-V/Si
- Grenoble, Isère
- CDD
- Temps-plein
Dans ce contexte, la mission consiste à étudier la croissance d'hétérostructures de semi-conducteurs III-V sur différents types de substrats, afin de réaliser des dispositifs optoélectroniques et microélectroniques. Une connaissance dans le domaine de l'évaluation de l'impact des filières d'intégration serait un atout, afin d'optimiser la chaîne de fabrication en salle blanche. Le(la) candidat(e) aura pour mission de mener les expériences de croissance et de caractérisation des hétérostructures, ainsi qu'une première évaluation des impacts.Activités- Maîtrise en croissance et caractérisation de couches minces
- Connaissance de procédés technologiques en salle blanche (dépôt, lithographie, gravure)
- Maitrise des techniques de caractérisation AFM, MEB, Raman, PL,..
- Connaissance des méthodes d'évaluation d'impact
- Analyse des résultats
-Compétences- Connaissances théoriques
o Physique/chimie/sciences des matériaux
o Anglais parlé et écrit
- Savoir-faire opérationnels
o Caractérisation par microscopie électronique
o Micro/nano fabrication
o Caractérisation physico-chimiques
- Savoir-être
o Qualité relationnelle (travail en équipe)
o Etre capable de respecter les consignes (travail dans un environnement CEA avec le nécessité de pouvoir appliquer la règlementation du CEA et du CNRS)Contexte de travailLe LTM est une unité mixte de recherche CNRS/Université Grenoble Alpes, comportant 2 pôles de recherche pour un total d'environ 90 personnes. Le laboratoire est situé le site du CEA-LETI à Grenoble.
La personne recrutée exercera ses fonctions au sein de l'équipe « Nanomatériaux & Intégration », et travaillera en collaboration avec les autres membres de cette équipe ainsi que le personnel du CEA-Leti.Contraintes et risquesNéant